原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置和方法
文献类型:专利
作者 | 费义艳; 吕惠宾; 朱湘东; 陈正豪; 周岳亮; 金奎娟; 程波林; 杨国桢 |
发表日期 | 2007-02-28 |
专利号 | CN1302310C |
著作权人 | 中国科学院物理研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置和方法 |
英文摘要 | 本发明涉及原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置和方法,该装置包括:激光器输出光的前方安置起偏器,起偏器出射的偏振光经过前方的光路上安置~光偏振调制器,输出光路上安置一电光调制器件,经过调制的输出光入射外延室窗口后,入射到被探测的外延基片表面,经外延层膜表面反射后的光从外延室窗口输出,通过检偏器后输出到探测器,探测器、放大器和数据采集处理系统电联接。该装置独立于制膜系统外,不受制膜温度和气压等条件的限制。该方法能同时获得基频和倍频两路信号,可探测原胞层状外延生长的信息,具有应用面广、获取信息多、操作简便等特点,是用于监控薄膜层状外延生长和研究成膜机理的有力工具。 |
公开日期 | 2007-02-28 |
申请日期 | 2003-08-21 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49185] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 费义艳,吕惠宾,朱湘东,等. 原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置和方法. CN1302310C. 2007-02-28. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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