生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底
文献类型：专利
| 作者 | 柴田真佐知; 黑田尚孝 |
| 发表日期 | 2006-04-05 |
| 专利号 | CN1249780C |
| 著作权人 | 住友化学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底 |
| 英文摘要 | 在初始衬底上沉积金属膜，初始衬底可以是单晶蓝宝石衬底、带有生长在蓝宝石衬底上的单晶GaN膜的衬底或单晶半导体衬底中的任何一种。然后在金属膜上沉积GaN膜以形成层状衬底。由于采用了以上这种结构，在生长了GaN膜之后，GaN膜可以很容易地和初始衬底分开，并且，能够用简单的方式生产出来低缺陷浓度和没有被杂质严重污染的GaN晶体衬底。 |
| 公开日期 | 2006-04-05 |
| 申请日期 | 2002-03-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49189]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田真佐知,黑田尚孝. 生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底. CN1249780C. 2006-04-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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