半导体叠层衬底及其制造方法和半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 河合弘治 |
| 发表日期 | 2004-12-01 |
| 专利号 | CN1178303C |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体叠层衬底及其制造方法和半导体器件 |
| 英文摘要 | 在中间夹有由AIN组成的分隔层和由GaN组成的缓冲层的由蓝宝石组成的基底衬底上，生长了由GaN组成的半导体晶体层。分隔层和缓冲层被分布成线形形式，而腐蚀剂的流通孔被制作在中间夹有由SiO2组成的抗生长膜的这些层的侧面中。于是，腐蚀剂流过流通孔，抗生长膜和分隔层被腐蚀，而基底衬底被容易地隔离。 |
| 公开日期 | 2004-12-01 |
| 申请日期 | 2000-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49195]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河合弘治. 半导体叠层衬底及其制造方法和半导体器件. CN1178303C. 2004-12-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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