制造半导体器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田由美 |
| 发表日期 | 2009-01-07 |
| 专利号 | CN100449891C |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 制造半导体器件的方法 |
| 英文摘要 | 提供一种制造半导体器件的方法，其通过防止在窗结构形成时产生热的负面影响，制造具有高输出功率和极好长期可靠性的半导体器件。该方法包括：第一步骤，在半导体衬底1上形成包含至少一层由量子势阱活性层组成的活性层4b的预定的半导体层2至9；第二步骤，在半导体层2至9表面上的第一部分上形成第一介电膜10；第三步骤，在半导体层2至9表面上的第二部分上形成第二介电膜12，第二介电膜12由与第一介电膜10相同的材料制成并具有低于第一介电膜10的密度；和第四步骤，对包含半导体层2至9、第一介电膜10和第二介电膜12的多层体进行热处理，以使第二介电膜12下面的量子势阱层无序化。 |
| 公开日期 | 2009-01-07 |
| 申请日期 | 2004-12-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49200]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田由美. 制造半导体器件的方法. CN100449891C. 2009-01-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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