化合物半导体衬底的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宫孝夫; 富谷茂隆; 碓井彰; 宫孝夫 |
| 发表日期 | 2009-04-22 |
| 专利号 | CN100481326C |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半导体衬底的制造方法 |
| 英文摘要 | 借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶衬底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。 |
| 公开日期 | 2009-04-22 |
| 申请日期 | 2002-04-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49201]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宫孝夫,富谷茂隆,碓井彰,等. 化合物半导体衬底的制造方法. CN100481326C. 2009-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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