边发射蚀刻端面激光器
文献类型：专利
| 作者 | A·A.·贝法尔; M·R.·格林; C·斯塔伽利斯库 |
| 发表日期 | 2017-09-08 |
| 专利号 | CN104067462B |
| 著作权人 | 镁可微波技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 边发射蚀刻端面激光器 |
| 英文摘要 | 一种激光器芯片，其具有：衬底；在所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括有源区域并且所述有源区域产生光；形成在所述外延结构中的波导，其呈第一方向延伸，所述波导具有限定边发射激光器的正蚀刻端面和背蚀刻端面；以及在所述外延结构中形成的第一凹陷区域，所述第一凹陷区域被布置在距所述波导一定距离处并且具有与所述背蚀刻端面相邻的开口，所述第一凹陷区域促进在分割所述激光器芯片之前测试相邻激光器芯片。 |
| 公开日期 | 2017-09-08 |
| 申请日期 | 2012-12-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49204]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 镁可微波技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | A·A.·贝法尔,M·R.·格林,C·斯塔伽利斯库. 边发射蚀刻端面激光器. CN104067462B. 2017-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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