化合物半导体发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 石川正行; 新田康一 |
| 发表日期 | 2002-11-06 |
| 专利号 | CN1093988C |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半导体发光器件 |
| 英文摘要 | 一种具有高抗浪涌能力和高可靠性的半导体发光二极管，其结构包括形成在发光元件的阳极和阴极之间的附加电容。具体地，在兰宝石衬底上有n型GaN半导体层、GaN基半导体有源层、和p型GaN基半导体层的LED中，阴极形成在n型GaN半导体层上，并且电极布线从p型GaN基半导体层的顶部延伸以形成电容。 |
| 公开日期 | 2002-11-06 |
| 申请日期 | 1997-09-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49209]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川正行,新田康一. 化合物半导体发光器件. CN1093988C. 2002-11-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。