制作氮化物半导体发光器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 高仓辉芳; 神川刚; 金子佳加 |
| 发表日期 | 2012-06-06 |
| 专利号 | CN1755957B |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 制作氮化物半导体发光器件的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。 |
| 公开日期 | 2012-06-06 |
| 申请日期 | 2005-02-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49225]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高仓辉芳,神川刚,金子佳加. 制作氮化物半导体发光器件的方法. CN1755957B. 2012-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。