半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 城岸直辉; 荒木田孝博 |
| 发表日期 | 2013-12-11 |
| 专利号 | CN101867156B |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法。本发明提供能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的半导体层制造方法、抑制杂质失去活性的半导体层、能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的激光器二极管制造方法以及包括抑制杂质失去活性的半导体层的激光器二极管。在制造半导体层的方法中，在通过采用AsH3的外延生长形成半导体层后，当工艺温度为500℃以上时停止提供AsH3且不另外提供新的气体。 |
| 公开日期 | 2013-12-11 |
| 申请日期 | 2010-04-07 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49226]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 城岸直辉,荒木田孝博. 半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法. CN101867156B. 2013-12-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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