一种电注入GaN基谐振腔的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 张保平; 胡晓龙; 刘文杰; 张江勇; 应磊莹 |
| 发表日期 | 2016-02-17 |
| 专利号 | CN103325894B |
| 著作权人 | 厦门大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，涉及GaN基谐振腔发光器件。在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO，对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀，抛光处理和ICP刻蚀，形成n型台面，再制作电流限制层、n型金属接触层、p型金属接触层和顶部介质膜DBR，再与临时基底键合在一起，然后采用激光剥离技术去除蓝宝石基底；对激光剥离后的GaN表面进行研磨抛光，在抛光后的GaN表面上生长底部的介质膜DBR，再与一个永久基底键合在一起，并去除临时基底，完成电注入高性能GaN基谐振腔的制作。采用两个高质量的介质膜DBR和损耗较小的p型电流扩展层ITO，实现高性能GaN基谐振腔。 |
| 公开日期 | 2016-02-17 |
| 申请日期 | 2013-07-04 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49227]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张保平,胡晓龙,刘文杰,等. 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法. CN103325894B. 2016-02-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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