非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器
文献类型：专利
| 作者 | 李沛旭; 李树强; 夏伟; 张新; 汤庆敏; 任忠祥; 徐现刚 |
| 发表日期 | 2009-12-23 |
| 专利号 | CN100574027C |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器，其结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、势垒限制层、P型上限制层、过渡层和欧姆接触层，上波导层和下波导层采用无铝材料镓铟磷，量子阱层为铟镓砷磷材料，波导层和量子阱层共同组成无铝有源区，上限制层与上波导层之间具有一层厚度为50nm-150nm、带隙宽于上限制层并由P型铝镓铟磷材料形成的势垒限制层。本发明能够增加P型材料区的光限制因子，降低光向P型材料区的泄漏，减少高掺杂区的载流子光吸收损耗，提高激光器的工作效率，同时该结构提高了有源区对载流子的限制作用，降低了载流子的泄漏，也有利于阈值电流的减小。 |
| 公开日期 | 2009-12-23 |
| 申请日期 | 2008-08-11 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49228]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李沛旭,李树强,夏伟,等. 非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器. CN100574027C. 2009-12-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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