变周期倾斜光栅激光器及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 郑婉华; 刘云; 渠红伟; 刘磊 ; 王宇飞
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| 发表日期 | 2017-10-24 |
| 专利号 | CN104917052B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 变周期倾斜光栅激光器及制备方法 |
| 英文摘要 | 一种变周期倾斜光栅激光器的制备方法，包括：在一衬底上依次生长n‑型限制层、n‑型波导层、有源层、p‑型波导层、p‑型限制层、p‑型接触层；在p‑型接触层、p‑型限制层及p‑型波导层上制作出倾斜两光栅条，该两光栅条之间为倾斜的注入区；光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构，另一光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构和倾斜的横向分布的变周期光栅结构上制作绝缘层；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构以及他们之间的注入区上生长正电极；将衬底减薄抛光；在减薄抛光后的衬底的背面制作背电极；退火，解理成矩形的芯片，完成制备。 |
| 公开日期 | 2017-10-24 |
| 申请日期 | 2015-07-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49229]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,刘云,渠红伟,等. 变周期倾斜光栅激光器及制备方法. CN104917052B. 2017-10-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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