氮化物半导体，半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 后藤修; 浅野竹春; 竹谷元伸; 簗克典; 池田真朗; 涉谷胜义; 铃木康彦 |
| 发表日期 | 2007-01-24 |
| 专利号 | CN1296970C |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种氮化物半导体、半导体器件及其制造方法。该半导体在表面具有大的低缺陷区。而且，氮化物半导体的制造方法包括采用横向生长技术的层形成步骤，其中可以容易地减少表面缺陷。在衬底上，形成条纹状图案的籽晶部分，缓冲层夹在其间。接着，在两阶段生长条件下自籽晶部分生长晶体以形成氮化物半导体层。在第一阶段(A)在1030℃的生长温度下形成具有梯形形状横截面的低温生长部分，并在第二阶段(B)在1070℃的生长温度下主要进行横向生长以形成低温生长部分之间的高温生长部分。由此，在低温生长部分之上的氮化物半导体层表面中减少了小丘和常规晶格缺陷。 |
| 公开日期 | 2007-01-24 |
| 申请日期 | 2003-02-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49245]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 后藤修,浅野竹春,竹谷元伸,等. 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法. CN1296970C. 2007-01-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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