与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺
文献类型：专利
| 作者 | 陈弘达; 刘海军; 高鹏; 顾明 |
| 发表日期 | 2008-02-13 |
| 专利号 | CN100369339C |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体发光器件技术领域，特别是一种与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺。本发明采用SOI晶片为衬底，利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作，有源区采用PN结发光二极管结构，有源区两侧的无源区内分别设置DBR布拉格全反射器和DBR半反射器，构成谐振腔。 |
| 公开日期 | 2008-02-13 |
| 申请日期 | 2005-09-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49247]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈弘达,刘海军,高鹏,等. 与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺. CN100369339C. 2008-02-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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