半导体多层衬底、半导体自立衬底及其制备方法以及半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 平松和政; 三宅秀人; 土田良彦; 小野善伸; 西川直宏 |
| 发表日期 | 2009-10-07 |
| 专利号 | CN100547734C |
| 著作权人 | 住友化学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体多层衬底、半导体自立衬底及其制备方法以及半导体器件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种第3-5族氮化物半导体多层衬底(1)和用于制备这种衬底的方法。在底部衬底(11)上形成半导体层(12)，并且在所述半导体层(12)上形成掩模(13)。然后，在通过选择性生长形成第3-5族氮化物半导体结晶层(14)之后，将第3-5族氮化物半导体结晶层(14)和所述底部衬底(11)相互分离。所述半导体层(12)的结晶性低于第3-5族氮化物半导体结晶层(14)的结晶性。 |
| 公开日期 | 2009-10-07 |
| 申请日期 | 2006-05-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49248]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平松和政,三宅秀人,土田良彦,等. 半导体多层衬底、半导体自立衬底及其制备方法以及半导体器件. CN100547734C. 2009-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。