通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器
文献类型：专利
| 作者 | C·G·卡诺; F·谢; C-E·扎赫 |
| 发表日期 | 2017-12-22 |
| 专利号 | CN105164874B |
| 著作权人 | 统雷量子电子有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器 |
| 英文摘要 | 公开了一种形成能够生成中红外激光辐射的激光源的方法，该方法包括：在基板上生长第一芯层结构；在一个或多个位置上蚀刻掉第一芯层结构；并且在基板上生长第二芯层结构。芯层结构中的至少一个包括以在3‑14μm的范围内的频率发射的量子级联增益介质。还公开了一种能够生成中红外激光辐射的激光源，该激光源包括量子级联芯层和第二芯层，量子级联芯层定位在基板上，用于在3‑14μm的范围内发射，第二芯层在基板上，在平面内相对于第一芯层定位。第二芯层是下列之一：a)无源波导芯层、b)第二量子级联芯层、以及c)半导体有源芯层区域。 |
| 公开日期 | 2017-12-22 |
| 申请日期 | 2013-11-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49251]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 统雷量子电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | C·G·卡诺,F·谢,C-E·扎赫. 通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器. CN105164874B. 2017-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。