同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 |
| 发表日期 | 2018-01-02 |
| 专利号 | CN104300365B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 一种同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在刻蚀成脊型上生长一层氧化模，并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗，并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤5：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明可以提高激光器激射的单模特性，提高光束质量。 |
| 公开日期 | 2018-01-02 |
| 申请日期 | 2014-10-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49259]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李翔,赵德刚,江德生,等. 同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法. CN104300365B. 2018-01-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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