一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构
文献类型：专利
| 作者 | 张海超; 潘彦廷; 罗俊岗; 王兴; 师宇晨; 刘从军 |
| 发表日期 | 2018-01-09 |
| 专利号 | CN206864866U |
| 著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，包括自下而上依次设置的基板、有源层和包层，包层中设置有光栅层，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层和高反射镀膜层，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0.5个周期的InGaAsP和0.25个周期的Inp，光栅连续排布形成光栅层，光栅层靠近高反射镀膜层一端的侧面与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期，在此距离范围内芯片的SMSR最大，从而提高了芯片的SMSR特性，从而大幅提高芯片良率，且此结构的工艺技术简单，稳定，成本低。 |
| 公开日期 | 2018-01-09 |
| 申请日期 | 2017-06-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49260]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张海超,潘彦廷,罗俊岗,等. 一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构. CN206864866U. 2018-01-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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