降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 |
| 发表日期 | 2018-01-12 |
| 专利号 | CN104300366B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底依次外延生长N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、窄带隙插入层、宽带隙插入层、P型限制层和P型接触层；步骤2：采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，将P型接触层和P型限制层刻蚀成脊型；步骤3：在P型接触层的上表面制作P型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗；步骤5：在砷化镓衬底的背面制作N型欧姆电极，形成激光器；步骤6：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制作。本发明可以大大降低电子泄漏。 |
| 公开日期 | 2018-01-12 |
| 申请日期 | 2014-10-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49261]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李翔,赵德刚,江德生,等. 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法. CN104300366B. 2018-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。