一种双量子阱电吸收调制激光器
文献类型：专利
| 作者 | 罗俊岗; 潘彦廷; 李马惠; 王兴; 师宇晨; 燕聪慧; 杨亚楠; 杨英; 陈怡婷 |
| 发表日期 | 2018-03-27 |
| 专利号 | CN207149876U |
| 著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种双量子阱电吸收调制激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种双量子阱电吸收调制激光器，包括设置在顶部的包层和设置在底部的n‑型InP衬底，以及从下到上依次设置在n‑型InP衬底和顶部的包层之间的调制器多量子阱、激光器多量子阱和光栅层，以及设置在两端的高反射膜和抗反射膜，通过在激光器下方设置调制器的量子阱，不需要在激光器量子阱的出光端对接调制器的量子阱，改善了一般EML遇到的缺点，工艺简单易控制，带宽易提升，耦光效率、高温高频特性优异，并适用于单片集成和大规模生产。 |
| 公开日期 | 2018-03-27 |
| 申请日期 | 2017-06-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49280]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗俊岗,潘彦廷,李马惠,等. 一种双量子阱电吸收调制激光器. CN207149876U. 2018-03-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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