一种提高氮化镓基激光器性能的方法
文献类型：专利
| 作者 | 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 |
| 发表日期 | 2018-04-10 |
| 专利号 | CN105048285B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种提高氮化镓基激光器性能的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种氮化镓基激光器及其制备方法。所述方法包括以下步骤：步骤1：在氮化镓衬底上依次制作n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、电子阻挡层、插入层、p型波导层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在制作成的所述脊型上生长一层氧化模，并采用光刻的方法制作p型欧姆电极；步骤4：将氮化镓衬底减薄、清洗，并在上面制作n型欧姆电极；步骤5：进行解理、镀膜，最后封装在管壳上，制成氮化镓激光器。本发明提出的上述激光器，由于插入层的引入，能带结构上带来两方面的好处：第一，使空穴容易注入。第二，电子有效势垒增大。 |
| 公开日期 | 2018-04-10 |
| 申请日期 | 2015-08-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49286]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李翔,赵德刚,江德生,等. 一种提高氮化镓基激光器性能的方法. CN105048285B. 2018-04-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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