一种外延结构及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 仇伯仓; 胡海 |
| 发表日期 | 2018-06-15 |
| 专利号 | CN105390936B |
| 著作权人 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种外延结构及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种外延结构及其制造方法。该外延结构包括衬底以及沿第一方向叠层设置于衬底上的第一波导层、量子阱层和第二波导层。在垂直于第一方向的第二方向上，第一波导层和第二波导层划分为量子阱混杂增强区以及量子阱混杂抑制区。量子阱混杂增强区用于扩大量子阱混杂抑制区的沿第二方向的出射光的光场分布。通过上述方式，利用第一波导层和第二波导层的量子阱混杂增强区以及量子阱混杂抑制区的材料性质差异来改变光场分布，进而实现对光功率密度的控制，有助于提高器件的可靠性和可控性。 |
| 公开日期 | 2018-06-15 |
| 申请日期 | 2015-11-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49300]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇伯仓,胡海. 一种外延结构及其制造方法. CN105390936B. 2018-06-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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