中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
应用于异面电极激光器芯片的封装结构

文献类型:专利

作者张志珂; 刘宇; 赵泽平; 祝宁华
发表日期2018-08-10
专利号CN105720477B
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类授权发明
其他题名应用于异面电极激光器芯片的封装结构
英文摘要本发明公开了一种针对异面电极激光器芯片的封装结构,包括一上介质基板,一下介质基板和一导通柱阵列。利用上下两个介质基板形成一个“三明治”的结构将激光器芯片的异面电极转为共面电极,以实现与外部射频电路的连接。相比于利用金丝转异面电极为共面电极的传统方法,本发明提出的封装结构避免了金丝的使用,减小了由金丝所引入的寄生参数对器件性能的影响,适用于单通道和多通道集成芯片的封装。
公开日期2018-08-10
申请日期2016-02-29
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49313]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张志珂,刘宇,赵泽平,等. 应用于异面电极激光器芯片的封装结构. CN105720477B. 2018-08-10.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。