应用于异面电极激光器芯片的封装结构
文献类型:专利
作者 | 张志珂; 刘宇; 赵泽平; 祝宁华 |
发表日期 | 2018-08-10 |
专利号 | CN105720477B |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 应用于异面电极激光器芯片的封装结构 |
英文摘要 | 本发明公开了一种针对异面电极激光器芯片的封装结构,包括一上介质基板,一下介质基板和一导通柱阵列。利用上下两个介质基板形成一个“三明治”的结构将激光器芯片的异面电极转为共面电极,以实现与外部射频电路的连接。相比于利用金丝转异面电极为共面电极的传统方法,本发明提出的封装结构避免了金丝的使用,减小了由金丝所引入的寄生参数对器件性能的影响,适用于单通道和多通道集成芯片的封装。 |
公开日期 | 2018-08-10 |
申请日期 | 2016-02-29 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49313] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张志珂,刘宇,赵泽平,等. 应用于异面电极激光器芯片的封装结构. CN105720477B. 2018-08-10. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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