少模面发射激光器
文献类型：专利
| 作者 | 刘建国; 于丽娟; 苏亚嫚; 祝宁华 |
| 发表日期 | 2018-12-07 |
| 专利号 | CN105428999B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 少模面发射激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了少模面发射激光器结构，其中包括：一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；一n型分布布拉格反射器(DBR)，该n型DBR制作在衬底上；一n型限制层，该n型限制层制作在n型DBR上；一有源层，该有源层制作在n型限制层上；一p型限制层，该p型限制层制作在有源区上；一p型DBR，该p型DBR制作在p型限制层上；一离子注入区，该离子注入区注入在p型DBR以及p型限制层特定的区域中，并与有源区保持一定的距离，对注入载流子进行限制作用；一p面电极，该p面电极制作在p型DBR上，包含三个透明电极，不同电极用来调制不同的横模模式；一n面电极，该n面电极制作在衬底的下面。 |
| 公开日期 | 2018-12-07 |
| 申请日期 | 2015-12-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49334]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘建国,于丽娟,苏亚嫚,等. 少模面发射激光器. CN105428999B. 2018-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。