使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 郑政玮; E·里欧班端; 李宁 ; D·K·萨达纳; 徐崑庭
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| 发表日期 | 2019-04-19 |
| 专利号 | CN106025799B |
| 著作权人 | 国际商业机器公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 |
| 英文摘要 | 一种使用纵横比俘获(ART)生长在硅上形成激光器的方法。方法可以包括：在衬底上形成第一绝缘体层；在第一绝缘体层中刻蚀沟槽从而暴露衬底的顶表面；使用ART生长在沟槽中形成缓冲层；在缓冲层上形成激光器，激光器包括至少一个活性区域以及顶部包覆层；以及形成在顶部包覆层上的顶部接触以及在衬底上的底部接触。 |
| 公开日期 | 2019-04-19 |
| 申请日期 | 2016-03-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49381]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 国际商业机器公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑政玮,E·里欧班端,李宁,等. 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构. CN106025799B. 2019-04-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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