一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器
文献类型：专利
| 作者 | 王东博; 刘舒曼; 贾志伟; 刘峰奇; 王占国 |
| 发表日期 | 2019-05-17 |
| 专利号 | CN106451074B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括：一衬底(01)；一下波导包层(02)；一下限制层(03)；一级联结构有源区(04)；一上限制层(05)；一上波导包层(06)；一接触层(07)；一横向分别限制层(08)；一半绝缘InP层(09)；一SiO2钝化层(10)；一正面电极(11)；一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成，其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面，在双沟中填入半绝缘InP，为有源区提供横向散热通道；正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入，背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。 |
| 公开日期 | 2019-05-17 |
| 申请日期 | 2016-10-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49391]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王东博,刘舒曼,贾志伟,等. 一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器. CN106451074B. 2019-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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