全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张保平; 梅洋; 许荣彬; 应磊莹; 郑志威 |
| 发表日期 | 2019-06-04 |
| 专利号 | CN107404066B |
| 著作权人 | 厦门大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，涉及激光器。在蓝宝石衬底上外延具有p‑down结构的激光器外延层；在外延片上制作图形化的介质膜DBR，然后磁控溅射n型电极；电镀铜作为替代支撑衬底并激光剥离去除蓝宝石衬底；生长SiO2电流限制层及ITO电流扩展层；溅射p型电极、制作图形化的介质膜上DBR并分离器件完成器件的制备。实现了具有铜衬底、SiO2电流限制层位于器件上表面的全介质膜GaN基面发射激光器。SiO2电流限制层位于有源区上侧避免了位于有源区下侧与衬底之间所造成的有源区热量拥堵，散热差的问题，可以改善器件的散热性能并提高光功率。 |
| 公开日期 | 2019-06-04 |
| 申请日期 | 2017-07-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49400]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张保平,梅洋,许荣彬,等. 全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法. CN107404066B. 2019-06-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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