一种小发散角激光器及其制备工艺
文献类型：专利
| 作者 | 李马惠; 潘彦廷; 师宇晨; 王兴; 穆瑶; 卫思逸; 张海超 |
| 发表日期 | 2019-06-07 |
| 专利号 | CN107154580B |
| 著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种小发散角激光器及其制备工艺 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种小发散角激光器及其制备工艺，包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层，第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区，端面刻蚀区底部位于基板内，且端面刻蚀区内生长有发散角改善层；衍射光栅层和发散角改善层上依次覆盖有第二包层、接触层和p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层，发散角改善层的一端镀上抗反射镀膜层，另一端镀上高反射镀膜层，通过改变出光端面附件的材料而来改善发散角，由于其并不改变激光器原有结构且不存在光波导形貌与耦光控制问题，因此实现的工艺简单，可接受的容错范围大，且不改变原有激光器本身的特性。 |
| 公开日期 | 2019-06-07 |
| 申请日期 | 2017-06-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49401]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李马惠,潘彦廷,师宇晨,等. 一种小发散角激光器及其制备工艺. CN107154580B. 2019-06-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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