GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群 |
| 发表日期 | 2019-07-05 |
| 专利号 | CN106711764B |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层，所述外延层包括依次于衬底上形成的下接触层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和上接触层。本发明通过在衬底上形成窗口区或预先刻蚀形成台阶结构的方法，直接在衬底上生长激光器和超辐射发光二极管脊型，脊型结构的两侧生长有光学限制层，不仅可有效提升器件的横向限制，降低器件的阈值电流，同时还可省去刻蚀操作，从而避免刻蚀损伤，进一步降低器件阈值电流，提高器件可靠性。 |
| 公开日期 | 2019-07-05 |
| 申请日期 | 2015-11-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49422]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙钱,冯美鑫,周宇,等. GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法. CN106711764B. 2019-07-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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