DFB激光器外延结构
文献类型：专利
| 作者 | 单智发; 张永 |
| 发表日期 | 2019-07-09 |
| 专利号 | CN209088265U |
| 著作权人 | 全磊光电股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | DFB激光器外延结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型涉及一种DFB激光器外延结构，其包括其包括自下而上依次层叠设置的衬底、光栅层、缓冲层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、过渡层、腐蚀阻挡层、包层、势垒渐变层和欧姆接触层。本实用新型提供的DFB激光器外延结构将光栅设置于N型层，由于N型半导体材料中，传输电流的载流子是电子，其具有比P型半导体载流子空穴更长的载流子寿命和输运长度，可以弥补光栅过厚对激光器电性能的影响。 |
| 公开日期 | 2019-07-09 |
| 申请日期 | 2019-01-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49427]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 全磊光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单智发,张永. DFB激光器外延结构. CN209088265U. 2019-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。