一种外延结构及其光栅结构制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 仇伯仓; 胡海 |
| 发表日期 | 2019-08-13 |
| 专利号 | CN105429003B |
| 著作权人 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种外延结构及其光栅结构制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种外延结构及其光栅结构的制造方法。该外延结构包括衬底以及沿第一方向叠层设置于衬底上的波导层，其中在垂直于第一方向的第二方向上，波导层划分为量子阱混杂增强区以及量子阱混杂抑制区，其中量子阱混杂增强区和量子阱混杂抑制区在第二方向上的一定区域交替排列，以利用量子阱混杂增强区和量子阱混杂抑制区的折射率在第二方向上周期性变化形成光栅结构。通过上述方式，交替排列的量子阱混杂增强区和量子阱混杂抑制区形成光栅结构，避免采用复杂的二次外延制造工艺，降低制造成本；避免二次外延制造工艺对器件的可靠性及性能的影响；并实现对光栅周期的方便有效的调控。 |
| 公开日期 | 2019-08-13 |
| 申请日期 | 2015-11-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49445]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇伯仓,胡海. 一种外延结构及其光栅结构制备方法. CN105429003B. 2019-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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