中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
GaN基激光器及其制备方法

文献类型:专利

作者赵德刚; 梁锋
发表日期2019-08-20
专利号CN107204567B
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类授权发明
其他题名GaN基激光器及其制备方法
英文摘要本发明提供了一种氮化镓基激光器的制备方法,其包括以下步骤:S1:在氮化镓衬底上依次生长n型限制层、下波导层、量子阱有源区、复合上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层;S2:将p型欧姆接触层、p型限制层、p型电子阻挡层和复合上波导层刻蚀成激光器脊型;S3:在制作成的脊型上生长一层氧化膜,并采用光刻的方法制作p型欧姆电极;S4:将氮化镓衬底减薄、清洗,并在上面制作n型欧姆接触电极;S5:进行解理、镀膜,然后封装在管壳上,制成一种具有复合上波导层的氮化镓基激光器,完成制备。本发明还提供了一种氮化镓基激光器。本发明可以提高电子阻挡层的有效势垒,提高光功率和斜率效率。
公开日期2019-08-20
申请日期2017-07-11
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49460]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
赵德刚,梁锋. GaN基激光器及其制备方法. CN107204567B. 2019-08-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。