GaN基激光器及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 赵德刚; 梁锋 |
发表日期 | 2019-08-20 |
专利号 | CN107204567B |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | GaN基激光器及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明提供了一种氮化镓基激光器的制备方法,其包括以下步骤:S1:在氮化镓衬底上依次生长n型限制层、下波导层、量子阱有源区、复合上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层;S2:将p型欧姆接触层、p型限制层、p型电子阻挡层和复合上波导层刻蚀成激光器脊型;S3:在制作成的脊型上生长一层氧化膜,并采用光刻的方法制作p型欧姆电极;S4:将氮化镓衬底减薄、清洗,并在上面制作n型欧姆接触电极;S5:进行解理、镀膜,然后封装在管壳上,制成一种具有复合上波导层的氮化镓基激光器,完成制备。本发明还提供了一种氮化镓基激光器。本发明可以提高电子阻挡层的有效势垒,提高光功率和斜率效率。 |
公开日期 | 2019-08-20 |
申请日期 | 2017-07-11 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49460] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵德刚,梁锋. GaN基激光器及其制备方法. CN107204567B. 2019-08-20. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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