一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构
文献类型：专利
| 作者 | 刘从军; 王兴; 张海超; 岳宗豪; 许众; 赵赫; 王凡; 高晨 |
| 发表日期 | 2019-09-06 |
| 专利号 | CN209358060U |
| 著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供的一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构，包括具有P‑InP/N‑InP同质结结构的衬底，该衬底的表面形成有波导结构，该波导结构的两侧波导区分别形成有N‑InP结构，所述N‑InP结构的高度大于波导结构的高度，使得在波导区正上方形成漏斗状结构；本实用新型提供的一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构，包括具有P‑InP/N‑InP同质结结构的衬底，该衬底的表面形成有波导结构，该波导结构的两侧波导区分别形成有N‑InP结构，所述N‑InP结构的高度大于波导结构的高度，使得在波导区正上方形成漏斗状结构。 |
| 公开日期 | 2019-09-06 |
| 申请日期 | 2019-01-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49472]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘从军,王兴,张海超,等. 一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构. CN209358060U. 2019-09-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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