基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器
文献类型：专利
| 作者 | 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉; 刘素平; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2019-09-24 |
| 专利号 | CN106025795B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 |
| 英文摘要 | 一种基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器，该方法包括：通过紫外纳米压印工艺，在外延片表面涂覆的光刻胶上压印出光栅图形；将压印好的外延片送入电感耦合等离子体(ICP)设备的反应腔室中进行一次刻蚀，反应气体为CH4/H2/Ar；将完成一次刻蚀的外延片送入反应腔室进行二次刻蚀，反应气体为CH4/H2/Ar。本发明采用二次刻蚀方法即连续两次对GaInP光栅进行干法刻蚀，通过调整优化刻蚀的气体流量比、腔室压强和刻蚀时间等参数，可以得到优良的光栅形貌。 |
| 公开日期 | 2019-09-24 |
| 申请日期 | 2016-07-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49486]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王海丽,赵懿昊,张奇,等. 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器. CN106025795B. 2019-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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