窄脊半导体器件的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国 |
| 发表日期 | 2019-09-24 |
| 专利号 | CN106785911B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窄脊半导体器件的制备方法 |
| 英文摘要 | 一种窄脊半导体器件的制备方法，包括以下步骤：外延生长形成半导体外延片，在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层，形成窄脊结构；在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜，并光刻形成脊型窗口；用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制备。本发明的制备方法在用选择性腐蚀液腐蚀去除脊型波导结构表面残存的二氧化硅时，选择性腐蚀液只与残存的二氧化硅和第二光刻胶掩膜接触，从而避免了在腐蚀去除残存二氧化硅的过程中脊型结构从本体上的脱落；制备的器件性能及良品率高，能够实现良好的光输出。 |
| 公开日期 | 2019-09-24 |
| 申请日期 | 2017-01-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49489]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨冠卿,梁平,徐波,等. 窄脊半导体器件的制备方法. CN106785911B. 2019-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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