基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器
文献类型：专利
| 作者 | 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2019-09-24 |
| 专利号 | CN106099637B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 |
| 英文摘要 | 一种基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器，该方法包括：通过紫外纳米压印技术在GaInP材料上压印出光栅图形；将压印好的样品送入ICP设备中，进行一次刻蚀，反应气体为CH4/H2/Ar；对样品进行二次刻蚀，反应气体为H2/Ar，刻蚀出光栅图形；使用氧等离子体对样品进行处理，以清洁沉积在刻蚀表面和侧壁的残留聚合物；将样品放入负胶去膜剂中加热处理8‑15分钟，用去离子水反复冲洗，最后用异丙醇清洗若干次，完成清洁步骤。本工艺采用CH4/H2/Ar和H2/Ar混合气体对GaInP光栅进行两步刻蚀，经过优化各项刻蚀参数，可有效去除刻蚀表面和侧壁非挥发性刻蚀产物，得到优良的刻蚀结果。 |
| 公开日期 | 2019-09-24 |
| 申请日期 | 2016-07-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49491]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王海丽,赵懿昊,张奇,等. 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器. CN106099637B. 2019-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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