半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山口勉; 佐久間仁; 尾上和之 |
| 发表日期 | 2019-09-11 |
| 专利号 | TWI671967B |
| 著作权人 | 日商三菱電機股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法 |
| 英文摘要 | 本發明係在具有：第一包覆層；具有形成為脊形狀的脊部(20)的第二包覆層；及位於第一包覆層與第二包覆層之間，具有傳播光的光封閉層(2、22)的半導體光元件，脊部(20)，係從接近光封閉層(2、22)側，依序具有脊下部(5)、脊中間部(6)、脊上部(8)，脊中間部(6)，垂直在上述光封閉層(2、22)的光傳播方向的光軸的剖面的寬度，較上述脊下部(5)及上述脊上部(8)寬。 |
| 公开日期 | 2019-09-11 |
| 申请日期 | 2018-10-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49499]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日商三菱電機股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口勉,佐久間仁,尾上和之. 半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法. TWI671967B. 2019-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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