GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清 |
| 发表日期 | 2014-12-31 |
| 专利号 | CN103151710B |
| 著作权人 | 北京邮电大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱层；S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层，形成GaAs基含B高应变量子阱。本发明还公开了一种GaAs基含B高应变量子阱以及一种边发射半导体激光器。本发明通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中补偿In、Sb并入GaAs导致的晶格常数变大，从而实现对晶格失配度的调控；通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中降低高应变InGaAs或GaAsSb的表面能，从而进一步拓展InGaAs/GaAs和GaAsSb/GaAs高应变量子阱的发光波长；通过对含B高应变阱层进行应变补偿，从而提高量子阱的光学质量。 |
| 公开日期 | 2014-12-31 |
| 申请日期 | 2011-12-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49570]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王琦,贾志刚,郭欣,等. GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器. CN103151710B. 2014-12-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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