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一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器

文献类型:专利

作者郑婉华; 刘安金; 王科; 渠宏伟; 邢名欣; 陈微; 周文君
发表日期2010-10-27
专利号CN101588017B
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类授权发明
其他题名一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器
英文摘要本发明涉及半导体光电子器件技术领域,公开了一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器,该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源层、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成。其中,该光子晶体垂直腔面发射激光器的上DBR表面的光子晶体区为高损耗区和耦合区,环形区和缺陷区为光输出区域;该光子晶体垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明,既提高了单模输出功率,又抑制了发散角。
公开日期2010-10-27
申请日期2008-05-21
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49577]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
郑婉华,刘安金,王科,等. 一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器. CN101588017B. 2010-10-27.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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