一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器
文献类型：专利
| 作者 | 郑婉华; 刘安金; 王科 ; 渠宏伟; 邢名欣; 陈微; 周文君
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| 发表日期 | 2010-10-27 |
| 专利号 | CN101588017B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源层、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成。其中，该光子晶体垂直腔面发射激光器的上DBR表面的光子晶体区为高损耗区和耦合区，环形区和缺陷区为光输出区域；该光子晶体垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，既提高了单模输出功率，又抑制了发散角。 |
| 公开日期 | 2010-10-27 |
| 申请日期 | 2008-05-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49576]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,刘安金,王科,等. 一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器. CN101588017B. 2010-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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