闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法
文献类型:专利
作者 | 何春九; 曾华林; 何军; 周燕 |
发表日期 | 2011-06-08 |
专利号 | CN101719629B |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法 |
英文摘要 | 一种闪耀光栅外腔半导体激光器,包括:一激光器;一自聚焦透镜,该自聚焦透镜位于激光器的光路上;一压电陶瓷,该压电陶瓷位于自聚焦透镜之后的激光器的光路上,在压电陶瓷的表面缠绕有光纤;一准直透镜,该准直透镜位于压电陶瓷之后的激光器的光路上;一闪耀光栅,该闪耀光栅呈一预定角度位于准直透镜之后的激光器的光路上;一控制模块,该控制模块与压电陶瓷上的光纤连接。 |
公开日期 | 2011-06-08 |
申请日期 | 2009-12-09 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49578] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 何春九,曾华林,何军,等. 闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法. CN101719629B. 2011-06-08. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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