纳米压印用二次压印模板
文献类型：专利
| 作者 | 刘文 ; 王定理; 周宁; 赵彦立; 徐智谋
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| 发表日期 | 2009-10-21 |
| 专利号 | CN201331670Y |
| 著作权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 纳米压印用二次压印模板 |
| 英文摘要 | 一种纳米压印用二次压印模板，包括有基板，在基板上形成有多数个相同的成套密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈DFB光栅结构。分布反馈DFB光栅结构的光栅周期为：di＝λi/(2neff)，其中，di为光栅周期，λi为符合ITU－T要求的激光器波长，其值为1525～1565nm或1565～1605nm，波长间隔为0.8nm或0.4nm，neff为激光器材料的有效折射率，典型值为3～3.5。本实用新型，由于一次压印模板只含有少量DFB光栅图形，因此制作上占用电子束曝光机机时少，成本比较低。而且采用同一个一次压印模板可以制作出多个二次压印模板，适合于大批量生产，所以采用二次压印模板的纳米压印方法制作DFB半导体激光器光栅，具有光栅分辨率高、重复性好，以及制作成本低，生产效率高的特点。 |
| 公开日期 | 2009-10-21 |
| 申请日期 | 2008-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49642]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文,王定理,周宁,等. 纳米压印用二次压印模板. CN201331670Y. 2009-10-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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