氮化物半导体激光器芯片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 川上俊之; 神川刚; 谷健太郎 |
| 发表日期 | 2012-06-06 |
| 专利号 | CN101471536B |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提供了一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片既可以改善其COD水平，也可以防止其I-L特性曲线陡峭上升并可以降低工作电压。该氮化物半导体激光器芯片包括：构成氮化物半导体层并形成在n型GaN衬底上的层；镜面，包括光发射镜面和光反射镜面；p侧欧姆接触，形成在上接触层上以到达镜面；和p侧垫接触，形成在离光发射镜面为距离L1的区域中。调节p侧欧姆接触的厚度d和p侧垫接触到光发射镜面的距离L1，使得注入至光发射镜面的电流量是注入至在p侧垫接触正下方的区域的电流量的20％以上且70％以下。 |
| 公开日期 | 2012-06-06 |
| 申请日期 | 2008-12-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49723]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川上俊之,神川刚,谷健太郎. 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法. CN101471536B. 2012-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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