一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置及其应用
文献类型:专利
作者 | 冯兴联; 肖成峰; 郑兆河; 沈燕; 苏建; 朱振 |
发表日期 | 2017-08-01 |
专利号 | CN104716027B |
著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置及其应用 |
英文摘要 | 本发明涉及一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置,包括在轨道上顺次设置的第一扩散加热炉和第二扩散加热炉;所述第一扩散加热炉为一端封闭的槽形,所述第二扩散加热炉呈中空环形;在所述轨道的一端,且在第二扩散加热炉的后方设置有支架,在所述支架上安装有一端封闭、一端开口设置的石英管。在所述石英管内、纵向顺次设置有第一热电偶和第二热电偶,石英舟的前半部设置在第一热电偶上,石英舟的后半部设置在第二热电偶上。本发明所述的装置采用扩散源与芯片分开并采用双温区控制扩散源和芯片的温度,扩散过程中分别控制以确保炉温的稳定;本发明防止激光器芯片表层GaAs在扩散温度下大量地分解,得到表面光亮,Zn浓度分布均匀,重复性好,无损伤的高浓度表面层的特点。 |
公开日期 | 2017-08-01 |
申请日期 | 2013-12-13 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49862] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯兴联,肖成峰,郑兆河,等. 一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置及其应用. CN104716027B. 2017-08-01. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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