三轴自对准法制备内腔接触式垂直腔面发射激光器
文献类型：专利
| 作者 | 郭霞; 沈光地; 杜金玉; 邹德恕 |
| 发表日期 | 2007-03-14 |
| 专利号 | CN1305191C |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 三轴自对准法制备内腔接触式垂直腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 三轴自对准方法制备的垂直腔面发射激光器属半导体光电子技术领域。流程如图3-1～9所示，各步骤均用常规技术，包括以下步骤：光刻；采用光刻胶做掩膜，腐蚀上分布布拉格反射镜1到欧姆接触层3，并呈双沟状；淀积p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au 2；剥离，只在欧姆接触层3上留有Ti/Pt/Au；套刻；光刻胶和p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au 2共同作为掩膜，分别向下腐蚀无掩膜保护的上分布布拉格反射镜1和欧姆接触层3、AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4；去掉光刻胶；湿氮氧化，控制氧化时间，形成氧化孔径；将样品减薄，抛光，制备n型欧姆接触电极11。本发明使得光刻精度低的光刻机，也能获得三轴对准的垂直腔面发射激光器器件，提高生产效率，降低生产成本。 |
| 公开日期 | 2007-03-14 |
| 申请日期 | 2004-04-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49893]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭霞,沈光地,杜金玉,等. 三轴自对准法制备内腔接触式垂直腔面发射激光器. CN1305191C. 2007-03-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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