半导体激光元件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松村拓明 |
| 发表日期 | 2011-07-27 |
| 专利号 | CN1877934B |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：在n型GaN基板上依次叠层至少由氮化物半导体构成的第一导电型层、活性层和第二导电型层的工序；在由所述工序叠层的晶片上，将规定波导路区域的长度的分隔槽形成为槽的底面比活性层更深的工序；在所述第二导电型层上设置条形凸部，形成由有效折射率关住光的第二波导路的工序；在所述条形凸部下设置包含活性层的条形凸部，形成由完全折射率关住光的第一波导路的工序；将所述晶片以分裂面成为谐振器面的方式在所述分隔槽分裂的分裂工序。 |
| 公开日期 | 2011-07-27 |
| 申请日期 | 2001-04-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49894]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松村拓明. 半导体激光元件的制造方法. CN1877934B. 2011-07-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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