制造半导体激光器的方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉本晋; 松原秀树 |
| 发表日期 | 2012-01-11 |
| 专利号 | CN101369714B |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 制造半导体激光器的方法 |
| 英文摘要 | 含有光子晶体构造的半导体激光器的制造方法，上述光子晶体构造具有空孔的排列，在该方法中，将基板(W2)设置在生长炉(13)中，使载气(氮)流动的同时，将生长炉(13)的温度上升到生长温度TG。在升温过程中，形成了图案的InGaN层(17a)的开口(17b)受到影响，开口(17b)中的AlX2Ga1-X2N生长及迁移和AlX2Ga1-X2N的表面相比被抑制。将氮化镓系半导体层(23)(例如GaN层)形成在InGaN层(17a)上。氮化镓系半导体层(AlX2Ga1-X2N)(23)以形成和开口(17b)对应的空孔(25)的方式生长。由此形成二维光子晶体的二维衍射光栅(26)。 |
| 公开日期 | 2012-01-11 |
| 申请日期 | 2008-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49943]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉本晋,松原秀树. 制造半导体激光器的方法. CN101369714B. 2012-01-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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