垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法
文献类型：专利
| 作者 | 赵英杰; 钟景昌; 晏长岭; 李林; 郝永芹; 李轶华; 苏伟; 姜晓光 |
| 发表日期 | 2007-05-09 |
| 专利号 | CN1315234C |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法 |
| 英文摘要 | 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布孔法，即在原刻蚀环形沟槽的位置刻蚀若干个环形分布、彼此孤立的孔，通过这些孔同样可以完成氧化物限制层工艺，之后不需将其填充，各个相邻孔之间的桥状通道使得激光器圆台台面各部分仍保持连接状态，仍与连接面、焊盘台面组成一个供蒸镀激光器上电极用的连续平面。本发明主要应用于垂直腔面发射半导体激光器制造领域。 |
| 公开日期 | 2007-05-09 |
| 申请日期 | 2004-02-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50000]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵英杰,钟景昌,晏长岭,等. 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法. CN1315234C. 2007-05-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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