激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法
文献类型：专利
| 作者 | 张芳; 王士维; 袁贤阳; 李军; 周国红; 张昭 |
| 发表日期 | 2013-12-11 |
| 专利号 | CN102115666B |
| 著作权人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法，其特征在于以氮氧化铝为基质，掺杂稀土元素制成不同掺杂的荧光粉，最后将合成的两种以上荧光粉混合、干燥后制成在950nm的半导体激光器激发下发射出白光；所述的掺杂稀土元素Er、Tm、Ho、Tb、Pr、Eu、Dy或Sm的氧化物质量百分浓度为1-10％，掺杂稀土元素Yb的氧化物的质量百分浓度为0.5-5％。具体包括a)氮氧化铝基质的制备；b)荧光粉粉体的制备；c)白光光源的合成。本发明提供的荧光粉具有较强的发光强度，较传统的氟化物稳定，经掺杂后的AlON，在980nm波长激光激发下发射出白光。 |
| 公开日期 | 2013-12-11 |
| 申请日期 | 2009-12-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50140]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张芳,王士维,袁贤阳,等. 激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法. CN102115666B. 2013-12-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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