一种GaN基蓝绿光激光二极管器件
文献类型：专利
| 作者 | 沈燕; 刘青; 刘欢; 张木青; 徐现刚 |
| 发表日期 | 2013-09-18 |
| 专利号 | CN203205703U |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种GaN基蓝绿光激光二极管器件 |
| 英文摘要 | 本实用新型涉及一种GaN基蓝绿光激光二极管器件，包括由下而上设置的第二衬底、GaN基外延层和N电极，在GaN基外延层的P型面为周期性的脊波导条状结构，在所述脊波导条状结构的表面设置有有P电极，所述P电极宽度小于脊波导条状结构表面的宽度，所述P电极也呈脊波导条状，所述P电极包括底面和倾斜阶梯侧边，所述P电极的底面与所述第二衬底相连，所述P电极的倾斜阶梯侧边与所述第二衬底通过焊接层相连。本实用新型与现有不导电衬底激光二极管平面电极结构相比，采用LED芯片换衬底工艺技术，制备出上下电极的倒装衬底结构的激光器二极管。 |
| 公开日期 | 2013-09-18 |
| 申请日期 | 2013-03-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50146]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈燕,刘青,刘欢,等. 一种GaN基蓝绿光激光二极管器件. CN203205703U. 2013-09-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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